Samsung anunció el desarrollo de la próxima generación de memoria UFS 5.0.
La marca asegura que tiene el doble de desempeño que la memoria actual UFS 4.1. En cuanto a eficiencia, esta solución es 40% mejor que la actual.
Las velocidades de lectura pueden alcanzar 10-8 GB/s y las de escritura 9.8 GB/s.
Samsung afirma que esta nueva memoria ayuda a reducir la latencia y mejora los tiempos de respuesta, principalmente en modelos de lenguaje amplios que corren dentro del dispositivo.
La producción en masa de UFS 5.0 iniciaría a final de este año, junto con la nueva solución de almacenamiento con capacidad de hasta 1TB.
Esta podría ser la memoria de tu próximo teléfono.
